Bare-Wafer-Laserritzen mit 355-nm-Ultraviolettlaser
355 nm Ultraviolett kann auch zum Ritzen von Siliziumwafern verwendet werden. Das Ritzen verursacht partielle Schnittlinien auf dem Wafer. Diese Linie führt Bereiche der Schwäche ein. Darauf folgt normalerweise ein mechanisches Brechverfahren, um rechteckige Siliziumkacheln für nachfolgende Operationen herzustellen. Das mechanische Brechen folgt, so dass die Ritzlinie den geringsten Widerstand bietet. Der Laser ist eine kostengünstige und einfache Methode mit hohem Durchsatz, um das Anreißen mit Genauigkeit und langfristiger Zuverlässigkeit zu bewirken.
Die gepulsten UV-Festkörperlaser der Serie S9-Y sind ultrakompakt. Der gesamte Teil der Stromversorgung ist in den Laserkopf integriert. Dadurch wird die Größe des Lasers kleiner und die Integration in ein System einfacher und bequemer. Die S9-Y-Serie hat eine kurze Impulsbreite (< 12 ns bei 30 k) , eine hervorragende Strahlqualität (M² < 1,2) und eine perfekte Lasersportqualität (Strahlkreisförmigkeit> 90 %).
355-nm-UV-Laser: https://www.rfhtech.com/s9-y-series-integrated-3w-10w-uv-laser_p10.html
