Wenn es um die 355-nm-UV-Laser- Kaltbearbeitung von Siliziumwafer-Mikrovias und Sacklöchern geht, müssen mehrere wichtige Faktoren berücksichtigt werden.

Erstens ist der 355-nm-UV-Laser eine Art ultravioletter Laser, der bei einer Wellenlänge von 355 Nanometern arbeitet. Aufgrund der hohen Absorption durch Siliziummaterial eignet sich diese Wellenlänge besonders gut für die Bearbeitung von Siliziumwafern.

Der Aspekt der Kaltbearbeitung bezieht sich auf die Tatsache, dass der UV-Laser während der Bearbeitung des Siliziumwafers keine nennenswerte Wärme erzeugt. Dies ist wichtig, da übermäßige Hitze die empfindlichen Mikrovias und Sacklöcher auf dem Wafer beschädigen kann.

Der UV-Laser ist in der Lage, das Siliziummaterial präzise abzutragen und so Mikrovias und Sacklöcher mit hoher Genauigkeit und minimalem thermischen Schaden zu erzeugen. Dies ist für die Produktion fortschrittlicher elektronischer Geräte von entscheidender Bedeutung, da diese Mikrovias und Sacklöcher häufig für Verbindungen und Signalführung verwendet werden.

Darüber hinaus bietet der 355-nm-UV-Laser mehrere Vorteile gegenüber anderen Lasertypen, wie beispielsweise Faserlasern. UV-Laser haben eine kürzere Wellenlänge, was eine höhere Präzision und kleinere Strukturgrößen ermöglicht. Darüber hinaus kann der UV-Laser auf eine kleinere Punktgröße fokussiert werden, was feinere Details bei der Bearbeitung des Siliziumwafers ermöglicht.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass die 355-nm-UV-Laser-Kaltbearbeitung von Siliziumwafer-Mikrovias und Sacklöchern eine hochpräzise und effiziente Methode zur Herstellung fortschrittlicher elektronischer Geräte ist. Seine Fähigkeit, minimale Wärme zu erzeugen und seine hohe Genauigkeit machen es zur idealen Wahl für diese Anwendung.