10W-15W uv laser

RFH-Hochleistungs-Ultraviolett-Laserschneidwafer mit hoher Geschwindigkeit, hoher Genauigkeit und ohne Grate

Beim UV-Laserschneiden wird ein UV-Laserstrahl verwendet, um eine nicht-thermochemische Reaktion am Siliziumblock durchzuführen, sodass dieser direkt vergast oder verdampft werden kann, wodurch ein effizientes, genaues und gratfreies Schneiden erreicht wird. Das UV-Laserschneiden bietet folgende Vorteile:

 

  • Laserwellenlänge:

    354.7nm
  • Durchschnittliche Ausgangsleistung:

    10W/12W/15W @40kHz
  • Impulsbreite:

    <20ns @40kHz
  • Pulswiederholrate:

    10-200kHz
  • Räumlicher Modus:

    TEM00
  • Strahlqualität (㎡):

    <1.2
  • Strahldurchmesser:

    0.8±0.1mm Measured at window
  • Vollständiger Divergenzwinkel des Strahls:

    <2mrad
  • Strahlrundheit:

    >90%
  • Puls-zu-Puls-Stabilität:

    <3% RMS/@30kHz
  • Durchschnittliche Leistungsstabilität:

    <5% RMS/8hr
  • Beam-Pointing Drift:

    <25μrad/℃
  • Polarisationsverhältnis:

    >100:1
  • Polarisationsorientierung:

    Horizontal
  • Betriebstemperatur. & RH:

    10℃ to 35℃ | <80%
  • Lagertemperatur. & RH:

    10℃ to 35℃ | <90 %
  • Strombedarf:

    100-240VAC |50/60Hz | Single phase
  • Energieverbrauch:

    <800W
  • Garantie:

    18months
  • Produktdetail
  • Video

UV-Laser

RFH-Hochleistungs-Ultraviolett-Laserschneidwafer mit hoher Geschwindigkeit, hoher Genauigkeit und ohne Grate

Mit der rasanten Entwicklung der Technologie der künstlichen Intelligenz wächst die Nachfrage nach intelligenten Geräten, intelligenten Netzwerken, intelligenter Fertigung und anderen Bereichen von Tag zu Tag, und der Kern dieser Bereiche kann nicht von einer wichtigen Komponente getrennt werden: Wafern.

Ein Wafer ist ein dünner und flacher Siliziumwafer mit vielen kleinen eingravierten Schaltkreisen, der zur Herstellung von Produkten wie integrierten Schaltkreisen und Chips verwendet werden kann. Die Qualität und Leistung von Wafern wirkt sich direkt auf die Leistung und den Anwendungsbereich des Endprodukts aus.

Allerdings ist die Waferverarbeitung nicht einfach, da sie mehrere Schritte erfordert, wobei der kritischste Schritt das Schneiden ist.

Beim Waferschneiden werden große Siliziumbarren in einzelne Wafer geschnitten. Dieser Prozess stellt hohe Anforderungen an die Qualität, Größe, Ebenheit, Oberflächenrauheit und andere Aspekte des Wafers und minimiert gleichzeitig Materialverlust und Abfall.

Bei der traditionellen Schneidmethode handelt es sich hauptsächlich um mechanisches Schneiden. Diese Methode weist jedoch einige Nachteile auf, wie z. B. langsame Schnittgeschwindigkeit, geringe Schnittgenauigkeit, Grate auf der Schnittfläche und hohe Schnitttemperatur, die die Qualität und Leistung des Wafers beeinträchtigen können.

Um diese Probleme zu lösen, wurde eine neue Schneidmethode entwickelt: das Ultraviolett-Laserschneiden.

Beim UV-Laserschneiden wird ein UV-Laserstrahl verwendet, um eine nicht-thermochemische Reaktion am Siliziumblock durchzuführen, sodass dieser direkt vergast oder verdampft werden kann, wodurch ein effizientes, genaues und gratfreies Schneiden erreicht wird. Das UV-Laserschneiden bietet folgende Vorteile:

-Schnelle Schnittgeschwindigkeit.

Beim UV-Laserschneiden kann eine Schnittgeschwindigkeit von Hunderten Metern pro Minute erreicht werden, was viel schneller ist als bei herkömmlichen Schneidmethoden.

-Hohe Schnittgenauigkeit.

Beim UV-Laserschneiden kann eine Schnittgenauigkeit im Submikrometerbereich erreicht werden, die viel höher ist als bei herkömmlichen Schneidmethoden.

-Die Schnittfläche ist gratfrei.

Beim UV-Laserschneiden können Siliziumbarren direkt verdampft oder verdampft werden, ohne dass Rückstände oder Ablagerungen entstehen, wodurch die Schnittfläche sehr glatt und sauber wird, ohne dass anschließendes Polieren oder Reinigen erforderlich ist.

-Die Schnitttemperatur ist niedrig.

Beim UV-Laserschneiden handelt es sich um eine Art des Kaltlichtschneidens, das keinen thermischen Einfluss auf den Siliziumblock hat und daher keine Verformung oder Beschädigung des Wafers verursacht.

Das präzise Schneiden von Kristallwafern mittels RFH-Laser erfordert leistungsstarke technische Fähigkeiten, insbesondere die präzise Steuerung der Laserleistung.

Als globaler Hersteller von Festkörperlasern in Industriequalität sind „± 0,02 mm hohe Präzision“, „hohe Stabilität“ und „hohe Kosteneffizienz“ die Hauptvorteile der RFH-Ultraviolettlaser. Nach 16 Jahren Erfahrung im Handwerk und Schmieden verfügt RFH über ein Forschungs- und Entwicklungsteam auf Doktorandenniveau, das unabhängig ein laserspezifisches Leistungssteuerungssystem entwickelt. Es ist in der Lage, die Funktionsmodule des Leistungssteuerungssystems zeitnah zu aktualisieren und entsprechend den Laseranforderungen zu verbessern.

Empfehlung für RFH -Hochleistungs-Ultraviolettlaser: Expert III 355

RFH Expert III 355 wird häufig in Bereichen wie PE/PCB/FPC-Schneiden, Glas, Saphirschneiden und hochpräziser Feinbearbeitung zum Bohren, Markieren und Schneiden eingesetzt.

In Bezug auf das Design verfügt RFH Expert III 355 über ein einzigartiges Laserhohlraumdesign, akustooptische Q-Switching-Technologie und ein hochpräzises Kühlsystem mit kleinem Volumen, hoher Integration und hervorragender Strahlqualität (M² < 1,2) und perfekten Spoteigenschaften (Spotelliptizität > 90 %).

Als 10- bis 15-W-Hochleistungs-Ultraviolettlaser verfügt der RFH Expert III 355 über ein vollständig digitales, intelligentes Leistungssteuerungssystem, das einfach zu bedienen und bequem zu überwachen ist. Bei Präzisionsarbeiten wie dem Waferschneiden ist es möglich, mit einem Computer zu kommunizieren und den Laser extern über RS232 zu steuern, was zu präzisem Schneiden, glatten Kanten und ohne Grate führt.

UV-Laserschneiden ist eine effiziente, für das KI-Zeitalter geeignete Bearbeitungsmethode, die die Qualität und Leistung von Wafern verbessern, die Kosten und den Ressourcenverbrauch von Wafern senken und die Entwicklung der Technologie der künstlichen Intelligenz stark unterstützen kann.

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